单晶硅片制备的主要工艺流程：
备料，单晶，截断取样，测量，滚磨，线切割，硅片剥离清洗，厚度测量，倒角，测量，分选，表面磨削，表面腐蚀，边缘抛光，双面抛光，初清洗，综合测量，预清洗，背封LPCVD，快速退火，等离子腐蚀（D.C.P.），测量，激光软刻号，最终单面抛光，最终清洗，表面测量，表面金属测量，外延，表面测量，外延参数测量，洁净内包装，洁净外包装，入仓库。
单晶硅片制备的主要工艺设备：
见下图
发布日期：2018-07-03
单晶硅片制备的主要工艺流程：
备料，单晶，截断取样，测量，滚磨，线切割，硅片剥离清洗，厚度测量，倒角，测量，分选，表面磨削，表面腐蚀，边缘抛光，双面抛光，初清洗，综合测量，预清洗，背封LPCVD，快速退火，等离子腐蚀（D.C.P.），测量，激光软刻号，最终单面抛光，最终清洗，表面测量，表面金属测量，外延，表面测量，外延参数测量，洁净内包装，洁净外包装，入仓库。
单晶硅片制备的主要工艺设备：
见下图
