OBC(on-board Charger) 作为汽车充电的重要部件 一般分为 PFC 和 DC-DC两个部分。PFC将输入交流电压整流成直流电压，再通过DC-DC对电池进行充电。
新型的OBC支持V2G，V2V等功能，要求功率的双向传输。同时，OBC的输出功率要求逐渐由3.3kW,6.6kW提高到11kW，22kW。新的这些需求也带来对拓扑新的要求，传统的LLC拓扑很明显已经不能适应这些需求。常用的双向隔离DC- DC变换拓扑主要有双向谐振变换器（CLLLC）和双向有源全桥（Dual Active Bridge, DAB）。DAB电路通常只能在较窄功率范围内实现两边开关管的零电压软开关（Zero Voltage Switching, ZVS），且控制相对较复杂。CLLLC电路由于自身谐振网络的对称结构、良好的软开关特性，其对称的电路结构不仅能保证双向运行的一致性，正反向运行时均能在更宽的电压范围和功率变换范围内实现零电压导通和零电流关断。此外，由于CLLLC谐振电流是正弦，其关断损耗比电流为梯形的DAB更小，所以在工业中被广泛使用。
CLLC拓扑在LLC拓扑的基础上，副边增加了一个电容，使功率可以双向传输。而CLLLC拓扑的副边在CLLC的基础上增加了一个电感，使电路结构对称。
CLLLC优点：
1.高效（高于98%的峰值效率）
2.设计良好时全范围软开关
3.控制相对简单（调频，burst）
4.二次侧输出EMI小
缺点（大功率）：
1.更多的器件（电容）（需要通过大电流）
2.调频范围宽，变压器功率密度相对低，高频时效率下降（需按照最低开关频率设计）
DAB拓扑在大功率场合应用较多，尤其是三相DAB可以显著减少输出电压的纹波，减小输出滤波电容的体积。
DAB优点：
1.结构简单（谐振电感集成在变压器中）
2.元器件少（无需多余的谐振电容）
3.三相结构成熟度高（输出电容小），每相电流RMS值小
4.频率固定，对变压器设计有利
5.分支拓扑多，可扩展性强
缺点：
1.由于没有谐振腔，电流呈单调线性变化，因此关断电流大，关断损耗大（通过合适的调制方式和SiC MOSFET器件可以部分解决）
2.电压不匹配时，无功电流大，轻载时软开关受限（可通过设计和调制方式解决，但会增加控制的复杂度）
3.效率低（相对CLLC低0.5%左右）
在中小功率条件下，LLC/CLLC/CLLLC拓扑由于其优秀的效率和功率密度而成为最优的方案之一。谐振电容的成本和体积在10-20kW功率级别时，并不算大，所以不会显著影响OBC的价格和功率密度。
但是在大功率场合，CLLC滤波电容和谐振电容的成本越发重要。而三相DAB结构简单，不调频，每相电流小，鲁棒性好，可能更加适合大功率DC-DC的设计。
CLLC/CLLLC，DAB等实现ZVS主要和功率MOSFET的Coss、关断速度和体二极管压降等参数有关。Coss决定所需谐振电感储能的大小，值越大越难实现ZVS；更快的关断速度可以减少对储能电感能量的消耗，影响体二极管的续流维持时间或者开关两端电压能达到的最低值；因为续流期间的主要损耗为体二极管的导通损耗。B2M跟竞品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小（115pF），需要的死区时间初始电流小；B2M第二代碳化硅MOSFET抗侧向电流触发寄生BJT的能力更强。B2M第二代碳化硅MOSFET的体二极管的Vf和trr比竞品优势明显。综合来看，相对竞品，在CLLC/CLLLC，DAB电源拓扑应用中B2M第二代碳化硅MOSFET表现会更好.
专业分销基半全碳化硅MOSFET模块，Easy封装全碳化硅MOSFET模块，62mm封装全碳化硅MOSFET模块，Full SiC Module，SiC MOSFET模块适用于超级充电桩，V2G充电桩，高压柔性直流输电智能电网(HVDC)，空调热泵驱动，机车辅助电源，储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机，超高频伺服驱动器，高速电机变频器等，光伏逆变器专用直流升压模块BOOST Module，储能PCS变流器ANPC三电平碳化硅MOSFET模块，光储碳化硅MOSFET。专业分销基半SiC碳化硅MOSFET模块及分立器件，全力支持中国电力电子工业发展！
B2M040120Z国产替代英飞凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S以及C3M0040120K，意法SCT040W120G3-4AG。
B2M020120Z国产替代英飞凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L022N120M3S，意法SCT015W120G3-4AG，C3M0021120K。
BASiC基半第二代碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。
BASiC基半第二代碳化硅MOSFET亮点
更低比导通电阻：BASiC第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。
更低器件开关损耗：BASiC第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。
更高可靠性：BASiC第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，产品可靠性表现出色。
更高工作结温：BASiC第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C，提高器件高温工作能力。
碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能够设计快速开关单极兴器件，替代升级双极性 IGBT （绝缘栅双极晶体管）开关。碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率、更高的开关频率、更少的散热和节省空间——这些好处反过来也降低了总体系统成本。SiC-MOSFET的Vd-Id特性的导通电阻特性呈线性变化，在低电流时SiC-MOSFET比IGBT具有优势。
与IGBT相比，SiC-MOSFET的开关损耗可以大幅降低。采用硅 IGBT 的电力电子装置有时不得不使用三电平拓扑来优化效率。当改用碳化硅 (SiC) MOSFET时，可以使用简单的两级拓扑。因此所需的功率元件数量实际上减少了一半。这不仅可以降低成本，还可以减少可能发生故障的组件数量。SiC MOSFET 不断改进，并越来越多地加速替代以 Si IGBT 为主的应用。 SiC MOSFET 几乎可用于目前使用 Si IGBT 的任何需要更高效率和更高工作频率的应用。这些应用范围广泛，从太阳能和风能逆变器和电机驱动到感应加热系统和高压 DC/DC 转换器。
随着自动化制造、电动汽车、先进建筑系统和智能电器等行业的发展，对增强这些机电设备的控制、效率和功能的需求也在增长。碳化硅 MOSFET (SiC MOSFET) 的突破重新定义了历史上使用硅 IGBT (Si IGBT) 进行功率逆变的电动机的功能。这项创新扩展了几乎每个行业的电机驱动应用的能力。Si IGBT 因其高电流处理能力、快速开关速度和低成本而历来用于直流至交流电机驱动应用。最重要的是，Si IGBT 具有高额定电压、低电压降、低电导损耗和热阻抗，使其成为制造系统等高功率电机驱动应用的明显选择。然而，Si IGBT 的一个显着缺点是它们非常容易受到热失控的影响。当器件温度不受控制地升高时，就会发生热失控，导致器件发生故障并最终失效。在高电流、电压和工作条件常见的电机驱动应用中，例如电动汽车或制造业，热失控可能是一个重大的设计风险。
电力电子转换器提高开关频率一直是研发索所追求的方向，因为相关组件（特别是磁性元件）可以更小，从而产生小型化优势并节省成本。然而，所有器件的开关损耗都与频率成正比。IGBT 由于“拖尾电流”以及较高的门极电容的充电/放电造成的功率损耗，IGBT 很少在 20KHz 以上运行。SiC MOSFET在更快的开关速度和更低的功率损耗方面提供了巨大的优势。IGBT 经过多年的高度改进，使得实现性能显着改进变得越来越具有挑战性。例如，很难降低总体功率损耗，因为在传统的 IGBT 设计中，降低传导损耗通常会导致开关损耗增加。
作为应对这一设计挑战的解决方案，SiC MOSFET 具有更强的抗热失控能力。碳化硅 的导热性更好，可以实现更好的设备级散热和稳定的工作温度。SiC MOSFET 更适合较温暖的环境条件空间，例如汽车和工业应用。此外，鉴于其导热性，SiC MOSFET 可以消除对额外冷却系统的需求，从而有可能减小总体系统尺寸并降低系统成本。
由于 SiC MOSFET 的工作开关频率比 Si IGBT 高得多，因此它们非常适合需要精确电机控制的应用。高开关频率在自动化制造中至关重要，高精度伺服电机用于工具臂控制、精密焊接和精确物体放置。此外，与 Si IGBT 电机驱动器系统相比，SiC MOSFET 的一个显着优势是它们能够嵌入电机组件中，电机控制器和逆变器嵌入与电机相同的外壳内。使用SiC MOSFET 作为变频器或者伺服驱动功率开关器件的另一个优点是，由于 MOSFET 的线性损耗与负载电流的关系，它可以在所有功率级别保持效率曲线“平坦”。SiC MOSFET变频伺服驱动器的栅极电阻的选择是为了首先避免使用外部输出滤波器，以保护电机免受高 dv/dt 的影响（只有电机电缆长度才会衰减 dv/dt）。 SiC MOSFET变频伺服驱动器相较于IGBT变频伺服驱动器在高开关频率下的巨大效率优越性.
尽管 SiC MOSFET 本身成本较高，但某些应用可能会看到整个电机驱动器系统的价格下降（通过减少布线、无源元件、热管理等），并且与 Si IGBT 系统相比总体上可能更便宜。这种成本节省可能需要在两个应用系统之间进行复杂的设计和成本研究分析，但可能会提高效率并节省成本。基于 SiC 的逆变器使电压高达 800 V 的电气系统能够显着延长电动汽车续航里程并将充电时间缩短一半。
碳化硅 (SiC) MOSFET功率半导体技术代表了电力电子领域的根本性变革。SiC MOSFET 的价格比 Si MOSFET 或 Si IGBT 贵。然而，在评估碳化硅 (SiC) MOSFET提供的整体电力电子系统价值时，需要考虑整个电力电子系统和节能潜力。需要仔细考虑以下电力电子系统节省： 第一降低无源元件成本，无源功率元件的成本在总体BOM成本中占主导地位。提高开关频率提供了一种减小这些器件的尺寸和成本的方法。 第二降低散热要求，使用碳化硅 (SiC) MOSFET可显着降低散热器温度高达 50%，从而缩小散热器尺寸和/或消除风扇，从而降低设备生命周期内的能源成本。 通常的诱惑是在计算价值主张时仅考虑系统的组件和制造成本。在考虑碳化硅 (SiC) MOSFET的在电力电子系统里的价值时，考虑节能非常重要。在电力电子设备的整个生命周期内节省能源成本是碳化硅 (SiC) MOSFET价值主张的一个重要部分。